Gallium Semiconductorのご紹介
Gallium Semiconductorは、 GaN(窒化ガリウム)をベースにした RF半導体製品を設計・製造して全世界へ供給しています。
2020年に設立され、シンガポールに本社を置くグローバル企業です。
5G通信ネットワークをはじめとする通信機器向けだけでなく、航空宇宙・防衛、産業・科学・医療分野において、RFに関連する様々なアプリケーション向けに
最高の性能と高効率な特性をもつ製品をコスト効果に優れた形でお届けします。
Gallium Semiconductorは、アジア、ヨーロッパ、米国に研究開発拠点を持っています。
数十年にわたるエンジニアリング、 オペレーション、およびマネジメントの経験を持つ優れた RF半導体の専門家でサポートチームが構成されており、
高性能半導体の開発と供給において、多くの成功を実績として持っています。
Gallium Semiconductorの特徴
- RF半導体の取り扱いに経験豊富なマネージメントチームおよびスタッフ
- 豊富なラインナップ（40種類以上の製品と20種類以上の新製品）
- 5G通信を始めとした様々なマーケットにて使用可能
- アジア（フィリピン）の半導体後工程に特化した製造拠点
- 日本向けにはほぼ輸入ライセンスが必要ない
- アジアを中心にグローバルなサポート体制（開発拠点、アプリケーションサポート）
適用分野
様々な分野で幅広くご使用可能です:
- 航空宇宙
- 5Gを始めとする携帯電話基地局
- 様々な無線通信機器
- 防衛などレーダー装置
- GPSなどナビゲーション
- 衛星通信
GaN Transistors - GaNトランジスタ
パッケージ化された GaN-on-SiC HEMT の製品ラインアップを提供しています。 内部整合がありませんので広帯域なパフォーマンスが得られます。 高い信頼性と優れた放熱性を備えた高性能ディスクリートのHEMTダイのパッケージ バージョンです。 トランジスタは、RoHS 準拠のプラスチック オーバーモールドおよび エアキャビティセラミックパッケージで供給しています。
Discrete Wideband GaN Amplifiers in DFN Package
| Part Number | Freq (GHz) | Pout (W) | Linear Gain (dB) | Efficiency (%) | Voltage (V) | Package Type | Datasheet | Photo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT010D | 0-8 | 15 | 19.8 | 61 | 50 | DFN14 (6mmx3mm) | Download |  |
| GT020D | 0-7 | 30 | 21.2 | 63 | 50 | DFN14 (6mmx3mm) | Download | |
| GT030D | 0-6 | 50 | 21.2 | 64 | 50 | DFN14 (6mmx3mm) | Download | |
| GT065D | 0-3.7 | 80 | 21.3 | 64 | 50 | DFN14 (6mmx3mm) | Download | |
| GT090D | 0-3.7 | 110 | 21.6 | 67 | 50 | DFN14 (6mmx3mm) | Download | |
| GT135D | 0-3.2 | 150 | 18.8 | 66 | 50 | DFN14 (6mmx3mm) | Download | |
Discrete Wideband GaN Amplifiers in ACC Package
| Part Number | Freq (GHz) | Pout (W) | Linear Gain (dB) | Efficiency (%) | Voltage (V) | Package Type | Datasheet | Photo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GTH0-008015S | 0-8 | 15 | 20 | 62 | 50 | ACC NI-200 | Download |  |
| GTH0-007030S | 0-7 | 30 | 21.1 | 66 | 50 | ACC NI-200 | Download | |
| GTH0-006050S | 0-6 | 50 | 21.2 | 64 | 50 | ACC NI-360 | Download |  |
| GTH0-0037080S | 0-3.7 | 80 | 21.5 | 66 | 50 | ACC NI-360 | Download | |
| GTH0-0037110S | 0-3.7 | 110 | 21.4 | 66 | 50 | ACC NI-360 | Download | |
| GTH0-0032150S | 0-3.2 | 150 | 10 | 53 | 50 | ACC NI-360 | Download | |
Discrete Wideband GaN Amplifiers in ACC Package (Push Pull)
| Part Number | Freq (GHz) | Pout per path(W) | Linear Gain (dB) | Efficiency (%) | Voltage (V) | Package Type | Datasheet | Photo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GTH0-0029200P | 0-2.9 | 110 | 21.4 | 66 | 50 | ACC NI-360 | Download | |
Performances per path of the device
All data @ 2.6 GHz
Typical Performances 1 Tone pulsed CW (10% duty cycle, 100μs width)
Source and Load impedance @ 2nd Harmonic are set to 10 Ohms, With proper 2nd Harmonic termination, expect +5% Efficiency for Source and similar with Drain 2nd Harmonic.
Pre-matched GaN Transistors - プリマッチドGaNトランジスタ
高周波モジュールやRFシステムの設計を容易にするために、入力側に内部マッチングを備えた、 プリマッチドタイプのGaN-on-SiC HEMT の製品ラインアップを提供しています。 トランジスタは、RoHS 準拠のエア キャビティ プラスチック パッケージで供給しています。
| Part Number | Freq (GHz) | Pout (W) | Linear Gain (dB) | Efficiency (%) | Voltage (V) | Package Type | Datasheet | Photo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GTH0-1524125S | 1.5-2.4 | 125 | 19.7 | 72 | 50 | ACP-462 | Download |  |
| GTH0-1524250S | 1.5-2.4 | 250 | 19.6 | 73 | 50 | ACP-462 | Download | |
| GTH0-1524500S | 1.5-2.4 | 500 | 18.8 | 68 | 50 | ACP-800-2 | Download |  |
| GTH0-2731125S | 2.7-3.1 | 125 | 19.2 | 72 | 50 | ACP-462 | Download | |
| GTH0-2731250S | 2.7-3.1 | 250 | 19.5 | 71 | 50 | ACP-462 | Download | |
| GTH0-2731500S | 2.7-3.1 | 500 | 18.6 | 70 | 50 | ACP-800-2 | Download | |
| GTH0-3338125S | 3.3-3.8 | 125 | 19.1 | 71 | 50 | ACP-462 | Download | |
| GTH0-3338250S | 3.3-3.8 | 250 | 18.5 | 70 | 50 | ACP-462 | Download | |
| GTH0-3338500S | 3.3-3.8 | 500 | 18.2 | 69 | 50 | ACP-800-2 | Download | |
All data @ mid band
Typical Performances 1 Tone pulsed CW (10% duty cycle, 100μs width)
Source and Load impedance @ 2nd Harmonic are set to 10 Ohms, With proper 2nd Harmonic termination, expect +5% Efficiency for Source and similar with Drain 2nd Harmonic.
Asymmetrical Doherty Devices - 非対称ドハティデバイス
マイクロセルおよび MIMO テレコムなど携帯電話基地局のアプリケーションでは、 システム全体のサイズ (熱の制約を含む) を最小限に抑えるために、消費電力を最小限に 抑える高効率なデバイスが必要です。Gallium Semi のディスクリート非対称ドハティ デバイスを使うことにより、 無線ユニットを効率的かつコンパクトにすることができます。
| Part Number | Freq (GHz) | Pout (W) | Linear Gain (dB) | Efficiency (%) | Voltage (V) | Package Type | Datasheet | Photo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GTH0-2327050A | 2.3-2.7 | 8 | 17 | 60 | 50 | DFN 6.5x7 | Download |  |
| GTH0-2327100A | 2.3-2.7 | 15 | 17 | 57 | 50 | DFN 6.5x7 | Download | |
| GTH0-2327400A | 2.3-2.7 | 56 | 15 | 54 | 50 | ACP-800-4 | Download |  |
| GTH0-2327600A | 2.3-2.7 | 80 | 14 | 50 | 50 | ACP-800-4 | Download | |
| GTH0-3338050A | 3.3-3.8 | 7 | 16 | 56 | 50 | DFN 6.5x7 | Download | |
| GTH0-3338100A | 3.3-3.8 | 15 | 15 | 55 | 50 | DFN 6.5x7 | Download | |
| GTH0-3338450A | 3.3-3.8 | 56 | 13 | 44 | 50 | ACP-800-4 | Download | |
| GTH0-3338650A | 3.3-3.8 | 80 | 12 | 42 | 50 | ACP-800-4 | Download | |
| GTH0-3742050A | 3.7-4.2 | 7 | 15 | 57 | 50 | DFN 6.5x7 | Download | |
| GTH0-3742100A | 3.7-4.2 | 15 | 14 | 52 | 50 | DFN 6.5x7 | Download | |
| GTH0-3742450A | 3.7-4.2 | 56 | 13 | 42 | 50 | ACP-800-4 | Download | |
| GTH0-4450035A | 4.4-5 | 2 | 14 | 52 | 50 | DFN 6.5x7 | Download | |
| GTH0-4450070A | 4.4-5 | 5 | 13 | 50 | 50 | DFN 6.5x7 | Download | |
| GTH0-4450500A | 4.4-5 | 56 | 11 | 40 | 50 | ACP-800-4 | Download | |
All data @ mid band
GaN Bare Die - ベア ダイ
GaN on SiC HEMT ベア ダイは、最適な熱挙動で設計されており、ハイブリッドやモジュールの作成に最適です。 これらは、RF パワー アンプの性能をカスタマイズするための最大限の柔軟性を提供します。
| Part Number | Freq (GHz) | Pout (W) | Linear Gain (dB) | Efficiency (%) | Voltage (V) | Package Type | Datasheet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD010 | 0-8 | 15 | 19.8 | 61 | 50 | Die | Download |
| GD020 | 0-7 | 30 | 21.2 | 63 | 50 | Die | Download |
| GD030 | 0-6 | 50 | 21.2 | 64 | 50 | Die | Download |
| GD060 | 0-6 | 80 | 21.3 | 64 | 50 | Die | Download |
| GD080 | 0-3.7 | 100 | 21.4 | 66 | 50 | Die | Download |
| GD090 | 0-3.7 | 110 | 21.6 | 67 | 50 | Die | Download |
| GD135 | 0-3.2 | 150 | 18.8 | 66 | 50 | Die | Download |
| GD160 | 0-3.2 | 160 | 18.5 | 65 | 50 | Die | Download |
| GD200 | 0-3.2 | 200 | 18.4 | 64 | 50 | Die | Download |
データシート
リチャードソンエレクトロニクス株式会社へお問い合わせください。）
カタログ
Gallium Semiconductor PRODUCT CATALOG 2023
ビデオ
Gallium Semiconductorのご紹介ビデオです（英語版となります）